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電(diàn)子器(qì)件(jiàn)的封裝缺陷和失效
電(diàn)子器(qì)件(jiàn)是一(yī)個(gè)非常複雜(zá)的系統,其封裝過程的缺陷和失效也是非常複雜(zá)的。因此,研究封裝缺陷和失效需要對封裝過程有一(yī)個(gè)系統性的了解,這樣才能(néng)從(cóng)多(duō)個(gè)角度去分析缺陷産生(shēng)的原因。 封裝缺陷與失效的研究方法論 封裝的失效機(jī)理可以分為(wèi)兩類:過應力和磨損。 過應力失效往往是瞬時的、災難性的;磨損失效是長(cháng)期的累積損壞,往往首...
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電(diàn)源管理芯片現狀分析
摘要:電(diàn)源管理芯片應用領域廣泛電(diàn)源管理芯片在電(diàn)子信息産品中發揮了關鍵作用、具有廣泛的産品應用。電(diàn)源管理芯片廣泛應用于手機(jī)與通(tōng)訊、消費(fèi)類電(diàn)子、工(gōng)業(yè)控制、醫(yī)療儀器(qì)、汽車電(diàn)子等應用領域,同時随著(zhe)物(wù)聯網、新能(néng)源、人工(gōng)智能(néng)、機(jī)器(qì)人等新興應用領域的發展,電(diàn)源管理芯片下(xià)遊市(shì)場有望持續發展。 電(diàn)源管理芯片應用領域廣泛 電(diàn)源管理芯片在電(diàn)子信息産品中發揮了關鍵作用、具...
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三極管作為(wèi)開(kāi)關使用,是如何實現開(kāi)關功能(néng)的-電(diàn)子開(kāi)關IC芯片
極管作為(wèi)開(kāi)關使用,是如何實現開(kāi)關功能(néng)的-電(diàn)子開(kāi)關IC芯片 三極管是常用的元器(qì)件(jiàn),可以當做開(kāi)關來使用,那麽三極管是如何實現開(kāi)關功能(néng)的? 1.三極管的工(gōng)作狀态 三極管有三個(gè)工(gōng)作狀态,分别是飽和區、放(fàng)大區和截止區。如下(xià)圖所示。 三極管的放(fàng)大狀态則通(tōng)常用在模拟電(diàn)路(lù)中,起到(dào)對小(xiǎo)信号的放(fàng)大作用。而三極管的截止和飽和狀态則用在數字電(diàn)...
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