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電(diàn)子器(qì)件(jiàn)的封裝缺陷和失效

發布時間:2020/5/26來源:深圳市(shì)南(nán)北(běi)行電(diàn)子發展有限公司

電(diàn)子器(qì)件(jiàn)是一(yī)個(gè)非常複雜(zá)的系統,其封裝過程的缺陷和失效也是非常複雜(zá)的。因此,研究封裝缺陷和失效需要對封裝過程有一(yī)個(gè)系統性的了解,這樣才能(néng)從(cóng)多(duō)個(gè)角度去分析缺陷産生(shēng)的原因。

 

封裝缺陷與失效的研究方法論

 

封裝的失效機(jī)理可以分為(wèi)兩類:過應力和磨損。

過應力失效往往是瞬時的、災難性的;磨損失效是長(cháng)期的累積損壞,往往首先表示為(wèi)性能(néng)退化,接著(zhe)才是器(qì)件(jiàn)失效。失效的負載類型又(yòu)可以分為(wèi)機(jī)械、熱、電(diàn)氣、輻射和化學負載等。

影響封裝缺陷和失效的因素是多(duō)種多(duō)樣的, 材料成分和屬性、封裝設計、環境條件(jiàn)和工(gōng)藝參數等都會(huì)有所影響。确定影響因素是預防封裝缺陷和失效的基本前提。

影響因素可以通(tōng)過試驗或者模拟仿真的方法來确定,一(yī)般多(duō)采用物(wù)理模型法和數值參數法。對于更複雜(zá)的缺陷和失效機(jī)理,常常采用試差法确定關鍵的影響因素,但是這個(gè)方法需要較長(cháng)的試驗時間和設備修正,效率低(dī)、花費(fèi)高(gāo)。

在分析失效機(jī)理的過程中, 采用魚骨圖(因果圖)展示影響因素是行業(yè)通(tōng)用的方法。魚骨圖可以說明複雜(zá)的原因及影響因素和封裝缺陷之間的關系,也可以區分多(duō)種原因并将其分門(mén)别類。

生(shēng)産應用中,有一(yī)類魚骨圖被稱為(wèi)6Ms:從(cóng)機(jī)器(qì)、方法、材料、量度、人力和自(zì)然力等六個(gè)維度分析影響因素。

引發失效的負載類型

如上(shàng)一(yī)節所述,封裝的負載類型可以分為(wèi)機(jī)械、熱、電(diàn)氣、輻射和化學負載。

1失效機(jī)理的分類

機(jī)械載荷:包括物(wù)理沖擊、振動、填充顆粒在矽芯片上(shàng)施加的應力(如收縮應力)和慣性力(如宇宙飛(fēi)船(chuán)的巨大加速度)等。材料對這些載荷的響應可能(néng)表現為(wèi)彈性形變、塑性形變、翹曲、脆性或柔性斷裂、界面分層、疲勞裂縫産生(shēng)和擴展、蠕變以及蠕變開(kāi)裂等等。

熱載荷:包括芯片黏結劑固化時的高(gāo)溫、引線鍵合前的預加熱、成型工(gōng)藝、後固化、鄰近元器(qì)件(jiàn)的再加工(gōng)、浸焊、氣相(xiàng)焊接和回流焊接等等。外部熱載荷會(huì)使材料因熱膨脹而發生(shēng)尺寸變化,同時也會(huì)改變蠕變速率等物(wù)理屬性。如發生(shēng)熱膨脹系數失配(CTE失配)進而引發局部應力,并最終導緻封裝結構失效。過大的熱載荷甚至可能(néng)會(huì)導緻器(qì)件(jiàn)内易燃材料發生(shēng)燃燒。

電(diàn)載荷:包括突然的電(diàn)沖擊、電(diàn)壓不穩或電(diàn)流傳輸時突然的振蕩(如接地不良)而引起的電(diàn)流波動、靜(jìng)電(diàn)放(fàng)電(diàn)、過電(diàn)應力等。這些外部電(diàn)載荷可能(néng)導緻介質擊穿、電(diàn)壓表面擊穿、電(diàn)能(néng)的熱損耗或電(diàn)遷移。也可能(néng)增加電(diàn)解腐蝕、樹枝狀結晶生(shēng)長(cháng),引起漏電(diàn)流、熱緻退化等。

化學載荷:包括化學使用環境導緻的腐蝕、氧化和離子表面枝晶生(shēng)長(cháng)。由于濕氣能(néng)通(tōng)過塑封料滲透,因此在潮濕環境下(xià)濕氣是影響塑封器(qì)件(jiàn)的主要問題。

被塑封料吸收的濕氣能(néng)将塑封料中的催化劑殘留萃取出來,形成副産物(wù)進入芯片粘接的金屬底座、半導體材料和各種界面,誘發導緻器(qì)件(jiàn)性能(néng)退化甚至失效。

例如,組裝後殘留在器(qì)件(jiàn)上(shàng)的助焊劑會(huì)通(tōng)過塑封料遷移到(dào)芯片表面。在高(gāo)頻電(diàn)路(lù)中,介質屬性的細微變化(如吸潮後的介電(diàn)常數、耗散因子等的變化)都非常關鍵。在高(gāo)電(diàn)壓轉換器(qì)等器(qì)件(jiàn)中,封裝體擊穿電(diàn)壓的變化非常關鍵。

此外,一(yī)些環氧聚酰胺和聚氨酯如若長(cháng)期暴露在高(gāo)溫高(gāo)濕環境中也會(huì)引起降解(有時也稱為(wèi)“逆轉”)。通(tōng)常采用加速試驗來鑒定塑封料是否易發生(shēng)該種失效。

需要注意的是,當施加不同類型載荷的時候,各種失效機(jī)理可能(néng)同時在塑封器(qì)件(jiàn)上(shàng)産生(shēng)交互作用。

例如,熱載荷會(huì)使封裝體結構内相(xiàng)鄰材料間發生(shēng)熱膨脹系數失配,從(cóng)而引起機(jī)械失效。其他的交互作用,包括應力輔助腐蝕、應力腐蝕裂紋、場緻金屬遷移、鈍化層和電(diàn)解質層裂縫、濕熱導緻的封裝體開(kāi)裂以及溫度導緻的化學反應加速等等。在這些情況下(xià),失效機(jī)理的綜合影響并不一(yī)定等于個(gè)體影響的總和。

封裝缺陷的分類

封裝缺陷主要包括引線變形、底座偏移、翹曲、芯片破裂、分層、空洞、不均勻封裝、毛邊、外來顆粒和不完全固化等。

1引線變形

引線變形通(tōng)常指塑封料流動過程中引起的引線位移或者變形,通(tōng)常采用引線最大橫向位移x與引線長(cháng)度L之間的比值x/L來表示。引線彎曲可能(néng)會(huì)導緻電(diàn)器(qì)短路(lù)(特别是在高(gāo)密度I/O器(qì)件(jiàn)封裝中)。有時,彎曲産生(shēng)的應力會(huì)導緻鍵合點開(kāi)裂或鍵合強度下(xià)降。

影響引線鍵合的因素包括封裝設計、引線布局、引線材料與尺寸、模塑料屬性、引線鍵合工(gōng)藝和封裝工(gōng)藝等。影響引線彎曲的引線參數包括引線直徑、引線長(cháng)度、引線斷裂載荷和引線密度等等。

2底座偏移

底座偏移指的是支撐芯片的載體(芯片底座)出現變形和偏移。

影響底座偏移的因素包括塑封料的流動性、引線框架的組裝設計以及塑封料和引線框架的材料屬性。薄型小(xiǎo)尺寸封裝(TSOP)和薄型方形扁平封裝(TQFP)等封裝器(qì)件(jiàn)由于引線框架較薄,容易發生(shēng)底座偏移和引腳變形。

3翹曲

翹曲是指封裝器(qì)件(jiàn)在平面外的彎曲和變形。因塑封工(gōng)藝而引起的翹曲會(huì)導緻如分層和芯片開(kāi)裂等一(yī)系列的可靠性問題。 翹曲也會(huì)導緻一(yī)系列的制造問題,如在塑封球栅陣列(PBGA)器(qì)件(jiàn)中,翹曲會(huì)導緻焊料球共面性差,使器(qì)件(jiàn)在組裝到(dào)印刷電(diàn)路(lù)闆的回流焊過程中發生(shēng)貼裝問題。

3翹曲模式包括内凹、外凸和組合模式三種

導緻翹曲的原因主要包括CTE失配和固化/壓縮收縮。後者一(yī)開(kāi)始并沒有受到(dào)太多(duō)的關注,深入研究發現,模塑料的化學收縮在IC器(qì)件(jiàn)的翹曲中也扮演著(zhe)重要角色,尤其是在芯片上(shàng)下(xià)兩側厚度不同的封裝器(qì)件(jiàn)上(shàng)。在固化和後固化的過程中,塑封料在高(gāo)固化溫度下(xià)将發生(shēng)化學收縮,被稱為(wèi)“熱化學收縮”。通(tōng)過提高(gāo)玻璃化轉變溫度和降低(dī)Tg附近的熱膨脹系數變化,可以減小(xiǎo)固化過程中發生(shēng)的化學收縮。

導緻翹曲的因素還(hái)包括諸如塑封料成分、模塑料濕氣、封裝的幾何結構等等。通(tōng)過對塑封材料和成分、工(gōng)藝參數、封裝結構和封裝前環境的把控,可以将封裝翹曲降低(dī)到(dào)最小(xiǎo)。在某些情況下(xià),可以通(tōng)過封裝電(diàn)子組件(jiàn)的背面來進行翹曲的補償。例如,大陶瓷電(diàn)路(lù)闆或多(duō)層闆的外部連接位于同一(yī)側,對他們進行背面封裝可以減小(xiǎo)翹曲。

4芯片破裂

封裝工(gōng)藝中産生(shēng)的應力會(huì)導緻芯片破裂。封裝工(gōng)藝通(tōng)常會(huì)加重前道組裝工(gōng)藝中形成的微裂縫。晶圓或芯片減薄、背面研磨以及芯片粘結都是可能(néng)導緻芯片裂縫萌生(shēng)的步驟。

破裂的、機(jī)械失效的芯片不一(yī)定會(huì)發生(shēng)電(diàn)氣失效。芯片破裂是否會(huì)導緻器(qì)件(jiàn)的瞬間電(diàn)氣失效還(hái)取決于裂縫的生(shēng)長(cháng)路(lù)徑。例如,若裂縫出現在芯片的背面,可能(néng)不會(huì)影響到(dào)任何敏感結構。

因為(wèi)矽晶圓比較薄且脆,晶圓級封裝更容易發生(shēng)芯片破裂。因此,必須嚴格控制轉移成型工(gōng)藝中的夾持壓力和成型轉換壓力等工(gōng)藝參數,以防止芯片破裂。3D堆疊封裝中因疊層工(gōng)藝而容易出現芯片破裂。在3D封裝中影響芯片破裂的設計因素包括芯片疊層結構、基闆厚度、模塑體積和模套厚度等。

5分層

分層或粘結不牢指的是在塑封料和其相(xiàng)鄰材料界面之間的分離。分層位置可能(néng)發生(shēng)在塑封微電(diàn)子器(qì)件(jiàn)中的任何區域;同時也可能(néng)發生(shēng)在封裝工(gōng)藝、後封裝制造階段或者器(qì)件(jiàn)使用階段。

封裝工(gōng)藝導緻的不良粘接界面是引起分層的主要因素。界面空洞、封裝時的表面污染和固化不完全都會(huì)導緻粘接不良。其他影響因素還(hái)包括固化和冷卻時收縮應力與翹曲。在冷卻過程中,塑封料和相(xiàng)鄰材料之間的CTE不匹配也會(huì)導緻熱-機(jī)械應力,從(cóng)而導緻分層。

可以根據界面類型對分層進行分類

6空洞

封裝工(gōng)藝中,氣泡嵌入環氧材料中形成了空洞,空洞可以發生(shēng)在封裝工(gōng)藝過程中的任意階段,包括轉移成型、填充、灌封和塑封料至于空氣環境下(xià)的印刷。通(tōng)過最小(xiǎo)化空氣量,如排空或者抽真空,可以減少空洞。有報(bào)道采用的真空壓力範圍為(wèi)1~300Torr(一(yī)個(gè)大氣壓為(wèi)760Torr)。

填模仿真分析認為(wèi),是底部熔體前沿與芯片接觸,導緻了流動性受到(dào)阻礙。部分熔體前沿向上(shàng)流動并通(tōng)過芯片外圍的大開(kāi)口區域填充半模頂部。新形成的熔體前沿和吸附的熔體前沿進入半模頂部區域,從(cóng)而形成起泡。

7不均勻封裝

非均勻的塑封體厚度會(huì)導緻翹曲和分層。傳統的封裝技(jì)術(shù),諸如轉移成型、壓力成型和灌注封裝技(jì)術(shù)等,不易産生(shēng)厚度不均勻的封裝缺陷。晶圓級封裝因其工(gōng)藝特點,而特别容易導緻不均勻的塑封厚度。

為(wèi)了确保獲得均勻的塑封層厚度,應固定晶圓載體使其傾斜度最小(xiǎo)以便于刮刀安裝。此外,需要進行刮刀位置控制以确保刮刀壓力穩定,從(cóng)而得到(dào)均勻的塑封層厚度。

在硬化前,當填充粒子在塑封料中的局部區域聚集并形成不均勻分布時,會(huì)導緻不同質或不均勻的材料組成。塑封料的不充分混合将會(huì)導緻封裝灌封過程中不同質現象的發生(shēng)。

8毛邊

毛邊是指在塑封成型工(gōng)藝中通(tōng)過分型線并沉積在器(qì)件(jiàn)引腳上(shàng)的模塑料。

夾持壓力不足是産生(shēng)毛邊的主要原因。如果引腳上(shàng)的模料殘留沒有及時清除,将導緻組裝階段産生(shēng)各種問題。例如,在下(xià)一(yī)個(gè)封裝階段中鍵合或者黏附不充分。樹脂洩漏是較稀疏的毛邊形式。

9外來顆粒

在封裝工(gōng)藝中,封裝材料若暴露在污染的環境、設備或者材料中,外來粒子就(jiù)會(huì)在封裝中擴散并聚集在封裝内的金屬部位上(shàng)(如IC芯片和引線鍵合點),從(cóng)而導緻腐蝕和其他的後續可靠性問題。

10不完全固化

固化時間不足或者固化溫度偏低(dī)都會(huì)導緻不完全固化。另外,在兩種封裝料的灌注中,混合比例的輕微偏移都将導緻不完全固化。為(wèi)了最大化實現封裝材料的特性,必須确保封裝材料完全固化。在很多(duō)封裝方法中,允許采用後固化的方法确保封裝材料的完全固化。而且要注意保證封裝料比例的精确配比。

封裝失效的分類

在封裝組裝階段或者器(qì)件(jiàn)使用階段,都會(huì)發生(shēng)封裝失效。特别是當封裝微電(diàn)子器(qì)件(jiàn)組裝到(dào)印刷電(diàn)路(lù)闆上(shàng)時更容易發生(shēng),該階段器(qì)件(jiàn)需要承受高(gāo)的回流溫度,會(huì)導緻塑封料界面分層或者破裂。

1分層

如上(shàng)一(yī)節所述,分層是指塑封材料在粘接界面處與相(xiàng)鄰的材料分離。可能(néng)導緻分層的外部載荷和應力包括水(shuǐ)汽、濕氣、溫度以及它們的共同作用。

在組裝階段常常發生(shēng)的一(yī)類分層被稱為(wèi)水(shuǐ)汽誘導(或蒸汽誘導)分層,其失效機(jī)理主要是相(xiàng)對高(gāo)溫下(xià)的水(shuǐ)汽壓力。

在封裝器(qì)件(jiàn)被組裝到(dào)印刷電(diàn)路(lù)闆上(shàng)的時候,為(wèi)使焊料融化溫度需要達到(dào)220℃甚至更高(gāo),這遠(yuǎn)高(gāo)于模塑料的玻璃化轉變溫度(約110~200℃)。

在回流高(gāo)溫下(xià),塑封料與金屬界面之間存在的水(shuǐ)汽蒸發形成水(shuǐ)蒸氣,産生(shēng)的蒸汽壓與材料間熱失配、吸濕膨脹引起的應力等因素共同作用,最終導緻界面粘接不牢或分層,甚至導緻封裝體的破裂。

無鉛焊料相(xiàng)比傳統鉛基焊料,其回流溫度更高(gāo),更容易發生(shēng)分層問題。

2吸濕膨脹系數(CHE),又(yòu)稱濕氣膨脹系數(CME)

濕氣擴散到(dào)封裝界面的失效機(jī)理是水(shuǐ)汽和濕氣引起分層的重要因素。

濕氣可通(tōng)過封裝體擴散,或者沿著(zhe)引線框架和模塑料的界面擴散。研究發現,當模塑料和引線框架界面之間具有良好粘接時,濕氣主要通(tōng)過塑封體進入封裝内部。

但是,當這個(gè)粘結界面因封裝工(gōng)藝不良(如鍵合溫度引起的氧化、應力釋放(fàng)不充分引起的引線框架翹曲或者過度修剪和形式應力等)而退化時,在封裝輪廓上(shàng)會(huì)形成分層和微裂縫,并且濕氣或者水(shuǐ)汽将易于沿這一(yī)路(lù)徑擴散。

更糟糕的是,濕氣會(huì)導緻極性環氧黏結劑的水(shuǐ)合作用,從(cóng)而弱化和降低(dī)界面的化學鍵合。

表面清潔是實現良好粘結的關鍵要求。表面氧化常常導緻分層的發生(shēng)(如上(shàng)一(yī)篇中所提到(dào)的例子),如銅合金引線框架暴露在高(gāo)溫下(xià)就(jiù)常常導緻分層。氮氣或其他合成氣體的存在,有利于避免氧化。

模塑料中的潤滑劑和附著(zhe)力促進劑會(huì)促進分層。潤滑劑可以幫助模塑料與模具型腔分離,但會(huì)增加界面分層的風險。另一(yī)方面,附著(zhe)力促進劑可以确保模塑料和芯片界面之間的良好粘結,但卻難以從(cóng)模具型腔内清除。

分層不僅為(wèi)水(shuǐ)汽擴散提供了路(lù)徑,也是樹脂裂縫的源頭。分層界面是裂縫萌生(shēng)的位置,當承受交大外部載荷的時候,裂縫會(huì)通(tōng)過樹脂擴展。

研究表明,發生(shēng)在芯片底座地面和樹脂之間的分層最容易引起樹脂裂縫,其它位置出現的界面分層對樹脂裂縫的影響較小(xiǎo)。

3氣相(xiàng)誘導裂縫(爆米花現象)

水(shuǐ)汽誘導分層進一(yī)步發展會(huì)導緻氣相(xiàng)誘導裂縫。當封裝體内水(shuǐ)汽通(tōng)過裂縫逃逸時會(huì)産生(shēng)爆裂聲,和爆米花的聲音(yīn)非常像,因此又(yòu)被稱為(wèi)爆米花現象。

裂縫常常從(cóng)芯片底座向塑封底面擴展。在焊接後的電(diàn)路(lù)闆中,外觀檢查難以發現這些裂縫。QFP和TQFP等大而薄的塑封形式最容易産生(shēng)爆米花現象;此外也容易發生(shēng)在芯片底座面積與器(qì)件(jiàn)面積之比較大、芯片底座面積與最小(xiǎo)塑封料厚度之比較大的的器(qì)件(jiàn)中。

爆米花現象可能(néng)會(huì)伴随其他問題,包括鍵合球從(cóng)鍵合盤上(shàng)斷裂以及鍵合球下(xià)面的矽凹坑等。

塑封器(qì)件(jiàn)内的裂縫通(tōng)常起源于引線框架上(shàng)的應力集中區(如邊緣和毛邊),并且在最薄塑封區域内擴展。毛邊是引線框架表面在沖壓工(gōng)藝中産生(shēng)的小(xiǎo)尺寸變形,改變沖壓方向使毛邊位于引線框架頂部,或者刻蝕引線框架(模壓)都可以減少裂縫。

減少塑封器(qì)件(jiàn)内的濕氣是降低(dī)爆米花現象的關鍵。常采用高(gāo)溫烘烤的方法減少塑封器(qì)件(jiàn)内的濕氣。前人研究發現,封裝内允許的安全濕氣含量約為(wèi)1100×10^-6(0.11 wt.%)。在125℃下(xià)烘烤24h,可以充分去除封裝内吸收的濕氣。

4脆性斷裂

脆性斷裂經常發生(shēng)在低(dī)屈服強度和非彈性材料中(如矽芯片)。到(dào)材料受到(dào)過應力作用時,突然的、災難性的裂縫擴展會(huì)起源于如空洞、夾雜(zá)物(wù)或不連續等微小(xiǎo)缺陷。

5韌性斷裂

塑封材料容易發生(shēng)脆性和韌性兩種斷裂模式,主要取決于環境和材料因素,包括溫度、聚合樹脂的黏塑特性和填充載荷。

即使在含有脆性矽填料的高(gāo)加載塑封材料中,因聚合樹脂的黏塑特性,仍然可能(néng)發生(shēng)韌性斷裂。

6疲勞斷裂

塑封料遭受到(dào)極限強度範圍内的周期性應力作用時,會(huì)因累積的疲勞斷裂而斷裂。

施加到(dào)塑封材料上(shàng)的濕、熱、機(jī)械或綜合載荷,都會(huì)産生(shēng)循環應力。疲勞失效是一(yī)種磨損失效機(jī)理,裂縫一(yī)般會(huì)在間斷點或缺陷位置萌生(shēng)。

疲勞斷裂機(jī)理包括三個(gè)階段:裂紋萌生(shēng)(階段Ⅰ);穩定的裂縫擴展(階段Ⅱ);突發的、不确定的、災難性失效(階段Ⅲ)。在周期性應力下(xià),階段Ⅱ的疲勞裂縫擴展指的是裂縫長(cháng)度的穩定增長(cháng)。塑封材料的裂紋擴展速率要遠(yuǎn)高(gāo)于金屬材料疲勞裂縫擴展的典型值(約3倍)。

7加速失效的因素

環境和材料的載荷和應力,如濕氣、溫度和污染物(wù),會(huì)加速塑封器(qì)件(jiàn)的失效。

塑封工(gōng)藝正在封裝失效中起到(dào)了關鍵作用,如濕氣擴散系數、飽和濕氣含量、離子擴散速率、熱膨脹系數和塑封材料的吸濕膨脹系數等特性會(huì)極大地影響失效速率。

導緻失效加速的因素主要有潮氣、溫度、污染物(wù)和溶劑性環境、殘餘應力、自(zì)然環境應力、制造和組裝載荷以及綜合載荷應力條件(jiàn)。

潮氣能(néng)加速塑封微電(diàn)子器(qì)件(jiàn)的分層、裂縫和腐蝕失效。在塑封器(qì)件(jiàn)中, 潮氣是一(yī)個(gè)重要的失效加速因子。

與潮氣導緻失效加速有關的機(jī)理包括粘結面退化、吸濕膨脹應力、水(shuǐ)汽壓力、離子遷移以及塑封料特性改變等等。潮氣能(néng)夠改變塑封料的玻璃化轉變溫度Tg、彈性模量和體積電(diàn)阻率等特性。

溫度是另一(yī)個(gè)關鍵的失效加速因子,通(tōng)常利用與模塑料的玻璃化轉變溫度、各種材料的熱膨脹洗漱以及由此引起的熱-機(jī)械應力相(xiàng)關的溫度等級來評估溫度對封裝失效的影響。

溫度對封裝失效的另一(yī)個(gè)影響因素表現在會(huì)改變與溫度相(xiàng)關的封裝材料屬性、濕氣擴散系數和金屬間擴散等失效。

污染物(wù)和溶劑性環境 污染物(wù)為(wèi)失效的萌生(shēng)和擴展提供了場所,污染源主要有大氣污染物(wù)、濕氣、助焊劑殘留、塑封料中的不潔淨例子、熱退化産生(shēng)的腐蝕性元素以及芯片黏結劑中排出的副産物(wù)(通(tōng)常為(wèi)環氧)。

塑料封裝體一(yī)般不會(huì)被腐蝕,但是濕氣和污染物(wù)會(huì)在塑封料中擴散并達到(dào)金屬部位,引起塑封器(qì)件(jiàn)内金屬部分的腐蝕。

殘餘應力 芯片粘結會(huì)産生(shēng)單于應力。應力水(shuǐ)平的大小(xiǎo),主要取決于芯片粘接層的特性。由于模塑料的收縮大于其他封裝材料, 因此模塑成型時産生(shēng)的應力是相(xiàng)當大的。可以采用應力測試芯片來測定組裝應力。

自(zì)然環境應力 在自(zì)然環境下(xià),塑封料可能(néng)會(huì)發生(shēng)降解。降解的特點是聚合鍵的斷裂,常常是固體聚合物(wù)轉變成包含單體、二聚體和其他低(dī)分子量種類的黏性液體。

升高(gāo)的溫度和密閉的環境常常會(huì)加速降解。陽光(guāng)中的紫外線和大氣臭氧層是降解的強有力催化劑,可通(tōng)過切斷環氧樹脂的分子鏈導緻降解。

将塑封器(qì)件(jiàn)與易誘發降解的環境隔離、采用具有抗降解能(néng)力的聚合物(wù)都是防止降解的方法。需要在濕熱環境下(xià)工(gōng)作的産品要求采用抗降解聚合物(wù)。

制造和組裝載荷 制造和組裝條件(jiàn)都有可能(néng)導緻封裝失效,包括高(gāo)溫、低(dī)溫、溫度變化、操作載荷以及因塑封料流動而在鍵合引線和芯片底座上(shàng)施加的載荷。進行塑封器(qì)件(jiàn)組裝時出現的爆米花現象就(jiù)是一(yī)個(gè)典型的例子。

綜合載荷應力條件(jiàn) 在制造、組裝或者操作的過程中,諸如溫度和濕氣等失效加速因子常常是同時存在的。綜合載荷和應力條件(jiàn)常常會(huì)進一(yī)步加速失效。這一(yī)特點常被應用于以缺陷部件(jiàn)篩選和易失效封裝器(qì)件(jiàn)鑒别為(wèi)目的的加速試驗設計。


 

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