紅(hóng)外遙控的原理

  目前很多(duō)手機(jī)都集成了紅(hóng)外功能(néng)，這一(yī)功能(néng)在手機(jī)上(shàng)主要用作遙控器(qì)使用。現在的硬件(jiàn)廠商都在搭建生(shēng)态，比如智能(néng)家居。以手機(jī)作為(wèi)智能(néng)終端，通(tōng)過APP來控制所要接入的各種設備，如空調、電(diàn)視、照(zhào)明燈、音(yīn)響等。而手機(jī)的紅(hóng)外功能(néng)就(jiù)可以把手機(jī)當作一(yī)個(gè)遙控器(qì)來使用。 家用設備中，紅(hóng)外的普及是通(tōng)過空調和電(diàn)視來實現的。兩者的遙控設備都是通(tōng)過紅(hóng)外功能(néng)來實現的，這兩種近距離場景是紅(hóng)外應用最廣泛的地方。紅(hóng)外要實現遙控需要紅(hóng)外發送和紅(hóng)外接受等硬件(jiàn)的支持。在空調和電(diàn)視端，集成的紅(hóng)外接收電(diàn)路(lù)；在手機(jī)端集成的是紅(hóng)外發射電(diàn)路(lù)。 1 紅(hóng)外發射電(diàn)路(lù) 紅(hóng)外發射電(diàn)路(lù)的核心元器(qì)件(jiàn)是紅(hóng)外發射探頭，該探頭的外形與直插LED非常類似，外表透明，在使用時也是按照(zhào)LED的驅動電(diàn)路(lù)來設計電(diàn)路(lù)的。如下(xià)圖所示。 當基極端的IR為(wèi)低(dī)電(diàn)平時紅(hóng)外電(diàn)路(lù)處于關斷狀态；當基極端...

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手機(jī)消毒盒定時IC芯片

  最近，面對新冠肺炎疫情 很多(duō)小(xiǎo)夥伴都被“困”在家裡(lǐ)，和手機(jī)達到(dào)了“形影不離”的程度從(cóng)客廳到(dào)廚房，從(cóng)卧室到(dào)陽台甚至上(shàng)廁所都攥在手裡(lǐ)，但是手機(jī)也是一(yī)個(gè)“隐形”的衛生(shēng)死角 大家出門(mén)在外在家裡(lǐ)做足了各種防護工(gōng)作，但卻往往忽視了它。 手機(jī)上(shàng)的病毒可以間接接觸傳播指間接接觸了被污染的物(wù)品所造成的傳播，這些物(wù)品主要有門(mén)把手、樓梯扶手、桌面、手機(jī)、玩具、筆記本電(diàn)腦(nǎo)、公共空間台面等。 也就(jiù)是說，日常除了戴口罩、洗臉、洗手外，如果忽視了給手機(jī)進行消毒，摸過手機(jī)的手接觸口鼻、眼睛，也有被感染新型冠狀病毒的可能(néng)。 如果你給你的手機(jī)經常消毒的話，這種風險就(jiù)大大降低(dī)了很多(duō)。 于是很多(duō)公司都推出了手機(jī)消毒盒的方案。 這款手機(jī)消毒盒定時IC芯片，供電(diàn)方式是3.0-5.5v，可實現...

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如何在電(diàn)路(lù)中采用靜(jìng)電(diàn)屏蔽來降低(dī)靜(jìng)電(diàn)幹擾

  一(yī)、前言 帶電(diàn)物(wù)體接近被測電(diàn)路(lù)的輸入端時，就(jiù)會(huì)發生(shēng)靜(jìng)電(diàn)耦合和幹擾。在低(dī)阻抗之下(xià)，由于電(diàn)荷迅速消散，所以幹擾的影響不明顯。然而，高(gāo)阻材料不允許電(diàn)荷迅速衰減，就(jiù)可能(néng)産生(shēng)不穩定的測量結果。由于錯(cuò)誤的讀(dú)數可能(néng)由直流或交流靜(jìng)電(diàn)場引起，所以靜(jìng)電(diàn)屏蔽有助于盡量降低(dī)這種電(diàn)場的影響。 直流電(diàn)場可能(néng)産生(shēng)有噪聲的讀(dú)數或無法探測的誤差。實驗電(diàn)路(lù)附近的運動（例如，操作儀器(qì)人員(yuán)的運動或者在臨近區域裡(lǐ)的其它運動等）引起靜(jìng)電(diàn)計顯示讀(dú)數發生(shēng)波動，就(jiù)反映出這種場的存在。為(wèi)了迅速檢查幹擾的存在，在電(diàn)路(lù)附近放(fàng)置一(yī)個(gè)帶電(diàn)的塑料物(wù)體，如梳子等。儀表的讀(dú)數發生(shēng)大的變化就(jiù)說明屏蔽不夠完善。 交流電(diàn)場同樣會(huì)産生(shēng)麻煩。交流電(diàn)場常常由供電(diàn)電(diàn)源和RF場引起。如果輸入端的交流電(diàn)壓很大，其一(yī)部分信号被整流，于是在被測的直流信号中産生(shēng)了誤差。用示波器(qì)觀察靜(jìng)電(diàn)計或皮安計的模拟輸出，可以對此...

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晶振不起振怎麽辦

  晶振在現代器(qì)件(jiàn)中随處可見(jiàn)，因此晶振的重要性不言而喻。但在晶振使用過程中，常常出現一(yī)些意料之外的晶振故障，如為(wèi)何晶振不起振。 本文中，首先将為(wèi)大家介紹晶振不起振的原因以及解決方案，其次将闡述 CH340 晶振不起振的應對措施以供大家參考。如果你對本文即将讨論的問題存在一(yī)定興趣，不妨繼續往下(xià)閱讀(dú)哦。 遇到(dào)單片機(jī)晶振不起振是常見(jiàn)現象，那麽引起晶振不起振的原因有哪些呢(ne)?讓我們一(yī)起來看(kàn)看(kàn)吧(ba)。 一(yī)、晶振不起振的原因 (1)PCB 闆布線錯(cuò)誤; (2)單片機(jī)質量有問題; (3)晶振質量有問題; (4)負載電(diàn)容或匹配電(diàn)容與晶振不匹配或者電(diàn)容質量有問題; (5)PCB 闆受潮，導緻阻抗失配而不能(néng)起振; (6)晶振電(diàn)路(lù)的走線過長(cháng); (7)晶振兩腳之間有走線; ...

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詳解MOS管原理及幾種常見(jiàn)失效分析

  MOS管工(gōng)作原理 MOS管的工(gōng)作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用VGS來控制“感應電(diàn)荷”的多(duō)少，以改變由這些“感應電(diàn)荷”形成的導電(diàn)溝道的狀況，然後達到(dào)控制漏極電(diàn)流的目的。 在制造管子時，通(tōng)過工(gōng)藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一(yī)側能(néng)感應出較多(duō)的負電(diàn)荷，這些負電(diàn)荷把高(gāo)滲雜(zá)質的N區接通(tōng)，形成了導電(diàn)溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電(diàn)流ID。當栅極電(diàn)壓改變時，溝道内被感應的電(diàn)荷量也改變，導電(diàn)溝道的寬窄也随之而變，因而漏極電(diàn)流ID随著(zhe)栅極電(diàn)壓的變化而變化。 MOS管的分類 MOS管按溝道材料型和絕緣栅型各分N溝道和P溝道兩種，按導電(diàn)方式又(yòu)分耗盡型與增強型，所以MOS場效應晶體管分為(wèi)N溝耗盡型和增強型，P溝耗盡型和增強型四大類。不過現實中，耗盡型的類型很少，而P溝道也比較少，最多(duō)的就(jiù)是N溝道增強型。...

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