電(diàn)子器(qì)件(jiàn)的封裝缺陷和失效

電(diàn)子器(qì)件(jiàn)是一(yī)個(gè)非常複雜(zá)的系統，其封裝過程的缺陷和失效也是非常複雜(zá)的。因此，研究封裝缺陷和失效需要對封裝過程有一(yī)個(gè)系統性的了解，這樣才能(néng)從(cóng)多(duō)個(gè)角度去分析缺陷産生(shēng)的原因。   封裝缺陷與失效的研究方法論   封裝的失效機(jī)理可以分為(wèi)兩類：過應力和磨損。 過應力失效往往是瞬時的、災難性的;磨損失效是長(cháng)期的累積損壞，往往首先表示為(wèi)性能(néng)退化，接著(zhe)才是器(qì)件(jiàn)失效。失效的負載類型又(yòu)可以分為(wèi)機(jī)械、熱、電(diàn)氣、輻射和化學負載等。 影響封裝缺陷和失效的因素是多(duō)種多(duō)樣的， 材料成分和屬性、封裝設計、環境條件(jiàn)和工(gōng)藝參數等都會(huì)有所影響。确定影響因素是預防封裝缺陷和失效的基本前提。 影響因素可以通(tōng)過試驗或者模拟仿真的方法來确定，一(yī)般多(duō)采用物(wù)理模型法和數值參數法。對于更複雜(zá)的缺陷和失效機(jī)理，常常采用試差法确定關鍵的影...

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電(diàn)源管理芯片現狀分析

  摘要：電(diàn)源管理芯片應用領域廣泛電(diàn)源管理芯片在電(diàn)子信息産品中發揮了關鍵作用、具有廣泛的産品應用。電(diàn)源管理芯片廣泛應用于手機(jī)與通(tōng)訊、消費(fèi)類電(diàn)子、工(gōng)業(yè)控制、醫(yī)療儀器(qì)、汽車電(diàn)子等應用領域，同時随著(zhe)物(wù)聯網、新能(néng)源、人工(gōng)智能(néng)、機(jī)器(qì)人等新興應用領域的發展，電(diàn)源管理芯片下(xià)遊市(shì)場有望持續發展。 電(diàn)源管理芯片應用領域廣泛 電(diàn)源管理芯片在電(diàn)子信息産品中發揮了關鍵作用、具有廣泛的産品應用。電(diàn)源管理芯片廣泛應用于手機(jī)與通(tōng)訊、消費(fèi)類電(diàn)子、工(gōng)業(yè)控制、醫(yī)療儀器(qì)、汽車電(diàn)子等應用領域，同時随著(zhe)物(wù)聯網、新能(néng)源、人工(gōng)智能(néng)、機(jī)器(qì)人等新興應用領域的發展，電(diàn)源管理芯片下(xià)遊市(shì)場有望持續發展。 市(shì)場規模穩步增長(cháng) 在國(guó)際市(shì)場上(shàng)，電(diàn)源管理芯片是在電(diàn)子設備系統中擔負起對電(diàn)能(néng)的變換、分配、檢測及其他電(diàn)能(néng)管理的職責的芯片。 根據Semiconductor統計，2015年(nián)-...

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三極管作為(wèi)開(kāi)關使用，是如何實現開(kāi)關功能(néng)的-電(diàn)子開(kāi)關IC芯片

  極管作為(wèi)開(kāi)關使用，是如何實現開(kāi)關功能(néng)的-電(diàn)子開(kāi)關IC芯片 三極管是常用的元器(qì)件(jiàn)，可以當做開(kāi)關來使用，那麽三極管是如何實現開(kāi)關功能(néng)的？ 1.三極管的工(gōng)作狀态 三極管有三個(gè)工(gōng)作狀态，分别是飽和區、放(fàng)大區和截止區。如下(xià)圖所示。 三極管的放(fàng)大狀态則通(tōng)常用在模拟電(diàn)路(lù)中，起到(dào)對小(xiǎo)信号的放(fàng)大作用。而三極管的截止和飽和狀态則用在數字電(diàn)路(lù)中，起到(dào)開(kāi)關作用。 三極管關斷：截止狀态； 三極管導通(tōng)：飽和狀态； 2.三極管的PN結 以NPN為(wèi)例，2塊N型半導體夾著(zhe)一(yī)塊P型半導體即構成NPN，發射區與基區之間形成的PN結稱為(wèi)發射結，集電(diàn)區與基區形成的PN結稱為(wèi)集電(diàn)結，三個(gè)引腳分别稱為(wèi)發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電(diàn)極c (Collector)。NPN三極管的結構如下(xià)圖所示： ...

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