阻容降壓電(diàn)路(lù)應該用X2安規電(diàn)容還(hái)是CBB電(diàn)容呢(ne)？

在小(xiǎo)家電(diàn)控制等電(diàn)路(lù)中，我們經常使用到(dào)阻容降壓電(diàn)路(lù)，它的最大特點就(jiù)是價格便宜，電(diàn)路(lù)簡單，有一(yī)個(gè)問題，阻容降壓電(diàn)路(lù)應該用X2安規電(diàn)容還(hái)是CBB電(diàn)容？ 1、根據認證要求來做選擇。 如果需要安規認證，這個(gè)時候就(jiù)需要使用X2安規電(diàn)容來做阻容降壓電(diàn)容，如果不需要過安規認證，其實普通(tōng)的CBB電(diàn)容更劃算(suàn)。 2、阻容降壓電(diàn)路(lù)的優點。 阻容降壓的電(diàn)路(lù)是非常簡單的，需要用到(dào)的元器(qì)件(jiàn)非常少，一(yī)般隻會(huì)用到(dào)CBB電(diàn)容或X2安規電(diàn)容，二極管、穩壓管、濾波用的電(diàn)解電(diàn)容，這樣整個(gè)電(diàn)路(lù)的成本是非常低(dī)的，所以小(xiǎo)家電(diàn)、LED燈上(shàng)經常用到(dào)阻容降壓電(diàn)路(lù)。 3、阻容降壓電(diàn)路(lù)的缺點。 阻容降壓電(diàn)路(lù)一(yī)定要選擇質量好的電(diàn)容，如果選購到(dào)質量差的電(diàn)容，會(huì)出現電(diàn)路(lù)壽命非常短的問題。因為(wèi)差的阻容降壓電(diàn)容容量衰減快，這就(jiù)導緻電(diàn)路(lù)中供電(diàn)不...

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供應 全新原裝 B340A-13-F DO-214AC/SMA 絲印B340A 貼片肖特基二極管

    高(gāo)電(diàn)流密度表面安裝肖特基整流器(qì),功能(néng)低(dī)輪廓包，适用于過電(diàn)壓保護。低(dī)功率損耗，高(gāo)效低(dī)正向電(diàn)壓降高(gāo)浪湧能(néng)力滿足MSL水(shuǐ)平1       根據J-STD-020，LF最大峰值260°C，符合RoHS指令2002/95/EC，符合WEEE2002/96/EC無鹵。       根據IEC61249-2-21定義，适用于低(dī)壓、高(gāo)變頻逆變器(qì)、自(zì)由旋、直流/直流轉換器(qì)和極性保護應用。       機(jī)械數據案例：DO-214AC(SMA)成型化合物(wù)符合UL94V-0可燃性等級基準P/N-M3-無鹵，符合RoHS，和商用級終端： 啞光(guāng)鍍錫導線，根據J-STD-002和JES...

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供應 全新進口原裝 AOZ8804ADI AOZ8804DI 貼片DFN-10 MOS場效應管

        AOZ8804A是一(yī)種瞬态電(diàn)壓抑制器(qì)陣列，設計用于保護高(gāo)速數據線，如HDMI、USB3.0、MDDI、SATA和千兆以太網免受損壞ESD事(shì)件(jiàn)的影響。       該設備包含8個(gè)額定，低(dī)電(diàn)容轉向二極管和一(yī)個(gè)TVS在一(yī)個(gè)包。在瞬态條件(jiàn)下(xià)，轉向二極管将瞬态引導到(dào)電(diàn)源線的正側或接地。       AOZ8804A提供了0.3pF的典型線到(dào)線電(diàn)容，低(dī)插入損耗高(gāo)達6GHz，提供更大的信号完整性，使其非常适合HDMI1.3或USB3.0應用程序，如數字電(diàn)視、DVD播放(fàng)器(qì)、計算(suàn)、機(jī)頂盒和MDDI應用程序。       AO...

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供應 AT91M55800A-33AU LQFP-176 單片機(jī) 芯片IC 深圳現貨

1.AT91M55800A是AtmelAT9116/32位微控制器(qì)系列的成員(yuán)，該系列基于ARM7TDMI處理器(qì)核心。該處理器(qì)具有高(gāo)性能(néng)的32位RISC架構，具有高(gāo)密度的16位指令集和非常低(dī)的功耗。此外，大量的内部存儲寄存器(qì)會(huì)導緻非常快速的異常處理，使該設備成為(wèi)實時控制應用程序的理想選擇。 功能(néng)利用ARM7TDMI®ARM®拇指®處理器(qì)核心-高(gāo)性能(néng)32位RISC結構-高(gāo)密度16位指令集-MIPS/瓦嵌入式™（電(diàn)路(lù)仿真）8K字節内部SRAM全可編程外部總線接口(EBI)-最大外部地址空間128M字節-8個(gè)芯片選擇-軟件(jiàn)可編程8/16位外部數據庫8級優先級，可修改的幹擾控制器(qì)-7個(gè)外部中斷，包括高(gāo)優先級，低(dī)延遲中斷請求58條可編程輸入/輸出線6通(tōng)道16位定時器(qì)/計數器(qì)-6個(gè)外部時鍾輸入和2個(gè)多(duō)用途輸入/輸出針 三個(gè)USARTs主/從(cóng)SPI接口...

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電(diàn)子器(qì)件(jiàn)的封裝缺陷和失效

電(diàn)子器(qì)件(jiàn)是一(yī)個(gè)非常複雜(zá)的系統，其封裝過程的缺陷和失效也是非常複雜(zá)的。因此，研究封裝缺陷和失效需要對封裝過程有一(yī)個(gè)系統性的了解，這樣才能(néng)從(cóng)多(duō)個(gè)角度去分析缺陷産生(shēng)的原因。   封裝缺陷與失效的研究方法論   封裝的失效機(jī)理可以分為(wèi)兩類：過應力和磨損。 過應力失效往往是瞬時的、災難性的;磨損失效是長(cháng)期的累積損壞，往往首先表示為(wèi)性能(néng)退化，接著(zhe)才是器(qì)件(jiàn)失效。失效的負載類型又(yòu)可以分為(wèi)機(jī)械、熱、電(diàn)氣、輻射和化學負載等。 影響封裝缺陷和失效的因素是多(duō)種多(duō)樣的， 材料成分和屬性、封裝設計、環境條件(jiàn)和工(gōng)藝參數等都會(huì)有所影響。确定影響因素是預防封裝缺陷和失效的基本前提。 影響因素可以通(tōng)過試驗或者模拟仿真的方法來确定，一(yī)般多(duō)采用物(wù)理模型法和數值參數法。對于更複雜(zá)的缺陷和失效機(jī)理，常常采用試差法确定關鍵的影...

[ 2020/5/26 ]點擊更多(duō)>>